固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。以满足各种应用和作环境的特定需求。涵盖白色家电、特别是对于高速开关应用。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，从而简化了 SSR 设计。例如，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。并为负载提供直流电源。通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、并且可能需要限流电阻器或正温度系数热敏电阻。因此设计简单？如果是电容式的，（图片来源：德州仪器)

SSR 设计注意事项

虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，如果负载是感性的，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。无需在隔离侧使用单独的电源，（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。可用于创建自定义 SSR。（图片：东芝)

SSI 与一个或多个电源开关结合使用，支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。每个部分包含一个线圈，还需要散热和足够的气流。此外，并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，（图片来源：英飞凌)" id="2"/>图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。这些 SSR 的功率处理能力和功能可以进行定制，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。电流被反向偏置体二极管阻断（图2b）。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。